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晶體振蕩器并聯(lián)電路分析

怎么分析并聯(lián)晶體振蕩器?
1.并聯(lián)晶體振蕩器電路如圖5-52所示,晶體B作為反饋元件,并聯(lián)于晶體管VT的集電極與基極之間。R1、R2為晶體管VT的基極偏置電阻,R3為集電極電阻,R4為發(fā)射極電阻。C1為基極旁路電容。

2.從圖5-53所示交流等效電路可見(jiàn),這是一個(gè)電容三點(diǎn)式振蕩器,晶體B在這里等效為一個(gè)電感元件使用,與震蕩回路電容C2、C3一起組成并聯(lián)諧振回路,共同決定電路的振蕩頻率。


3.并聯(lián)晶體振蕩器穩(wěn)頻原理如下:因?yàn)榫w的電抗曲線(xiàn)非常陡峭,可等效為一個(gè)隨頻率有很大變化的電感。當(dāng)由于溫度、分布電容因素使振蕩頻率降低時(shí),晶體的效應(yīng)電感量就會(huì)迅速減小,迫使振蕩頻率回升;反之則作反向調(diào)整,最終使得振蕩器具有很高的頻率穩(wěn)定度。

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